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IRFB7730PBF 到货20k

日期:2020-09-16 09:40    发布企业: 深圳市创芯弘科技有限公司

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产品属性 属性值 搜索类似
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 75 V
Id-连续漏极电流: 195 A
Rds On-漏源导通电阻: 2.6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.7 V
Qg-栅极电荷: 271 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 375 W
通道模式: Enhancement
商标名: StrongIRFET
封装: Tube
配置: Single
高度: 15.65 mm
长度: 10 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.4 mm
商标: Infineon / IR
正向跨导 - 最小值: 249 S
下降时间: 115 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 120 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 180 ns
典型接通延迟时间: 21 ns
零件号别名: IRFB7730PBF SP001556128
单位重量: 6 g
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