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制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 195 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.65 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.7 V
Qg-栅极电荷: 274 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 341 W
通道模式: Enhancement
商标名: StrongIRFET
封装: Tube
配置: Single
高度: 20.7 mm
长度: 15.87 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5.31 mm
商标: Infineon / IR
正向跨导 - 最小值: 242 S
下降时间: 104 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 141 ns
工厂包装数量: 400
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 172 ns
典型接通延迟时间: 52 ns
零件号别名: IRFP7530PBF SP001560520
单位重量: 38 g
StrongIRFET? Power MOSFETs
Infineon StrongIRFET? Power MOSFET family are optimized for low RDS(on)and high current capability. These devices are ideal for low-frequency applications requiring performance and ruggedness. These MOSFETs have the highest current carrying capability in the industry. This feature leads to increased robustness and reliability for high power density applications which require high efficiency and reliability.
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