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FCPF125N65S3 到货20k

发布日期：2020-08-03 14:16
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制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 24 A
Rds On-漏源导通电阻: 105 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Qg-栅极电荷: 44 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 38 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
配置: Single
系列: FCPF125N65S3
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值: 16 S
下降时间: 15 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 25 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 60 ns
典型接通延迟时间: 22 ns
单位重量: 2.270 g

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产品广泛应用于工业自动化，医疗设备，电机控制，光模块，电源系统，仪器仪表，智能家居，电网自动化，通信，汽车电子等。
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