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分立半导体产品
J111_D26Z参考图

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J111_D26Z

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J111_D26Z
技术参数规格信息

产品培训模块:High Voltage Switches for Power Processing

标准包装:2,000

类别:分立半导体产品

家庭:JFET(结点场效应

系列:-

包装:带卷(TR)

FET 类型:N 沟道

电压 - 击穿(V(BR)GSS):35V

漏源极电压(Vdss):-

不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):20mA @ 15V

漏极电流(Id) - 最大值:-

不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):3V @ 1µA

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):-

电阻 - RDS(开):30 欧姆

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线

供应商器件封装:TO-92-3

功率 - 最大值:625mW

其它名称:J111_D26Z-NDJ111_D26ZTRJ111D26Z

J111_D26Z全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
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J111_D26ZFairchild SemiconductorJFET(结点场效应 - 分立半导体产品 半导体 JFET N-Channel Switch2000+:¥0.57
6000+:¥0.51
10000+:¥0.45
50000+:¥0.38
100000+:¥0.37
200000+:¥0.371+:¥0.66
10+:¥0.6
100+:¥0.46
1000+:¥0.43
2000+:¥0.42
10000+:¥0.4
24000+:¥0.39
50000+:¥0.39
100000+:¥0.33011+:¥5.4
100+:¥2.3301
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J111_D26ZFairchild SemiconductorJFET(结点场效应 - 分立半导体产品 半导体 JFET N-Channel Switch2000+:¥0.57
6000+:¥0.51
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J111-D26ZON SemiconductorJFET N-CH 35V 625MW TO92$0.51000
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10000+:¥0.4
24000+:¥0.39
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100000+:¥0.33011+:¥5.4
100+:¥2.3301
250+:¥1.6501
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J111-D26ZON Semiconductor / FairchildJFET N-Channel Switch1:¥3.2318
10:¥2.2713
100:¥1.04525
1,000:¥0.80682
2,000:¥0.68365
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J111-D26ZON(安森美)预售新品1+:¥1.4529
200+:¥0.5623
500+:¥0.5425
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天天IC网提供了由Fairchild Semiconductor生产的J111_D26Z产品全球分销商和国内代理商分销商信息,您可以联系他们通过原厂、代理商等渠道进行代购。这里有分销商、代理商提供的J111_D26Z的价格信息,J111_D26Z参考价格:2000+:¥0.57,还有技术参数规格信息、J111_D26Z数据手册可供查阅。J111_D26Z功能描述为:Fairchild Semiconductor/分立半导体产品。你可以查阅J111_D26Z中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书等资料,资料中有详细的引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
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