标准包装：2,000
类别：分立半导体产品
家庭：JFET（结点场效应
系列：-
包装：带卷（TR）
FET 类型：N 沟道
电压 - 击穿（V（BR）GSS）：35V
漏源极电压（Vdss）：-
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）：20mA @ 15V
漏极电流（Id） - 最大值：-
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：3V @ 1µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：-
电阻 - RDS（开）：30 欧姆
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
供应商器件封装：TO-92-3
功率 - 最大值：350mW