标准包装：2,000
类别：分立半导体产品
家庭：JFET（结点场效应
系列：-
包装：带盒（TB）
FET 类型：N 沟道
电压 - 击穿（V（BR）GSS）：25V
漏源极电压（Vdss）：25V
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）：80mA @ 15V
漏极电流（Id） - 最大值：-
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：2V @ 1µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：30pF @ 10V（VGS）
电阻 - RDS（开）：12 欧姆
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
供应商器件封装：TO-92-3
功率 - 最大值：400mW
其它名称：934003860126J109 AMOJ109 AMO-ND