Status：Active

包装：6PDIP

输出类型：DC

每个芯片的通道数：1

典型正向电压：1.25 V

最大集电极电流：50 mA

最大集电极发射极电压：32 V

最大正向电压：1.6 V

最小绝缘电压：3750 Vrms

最大集电极发射极饱和电压：300 mV

最大电流传输比@电流：125 %

最大输入电流：60 mA

最大功率耗散：250 mW

最大反向电压：5 V

工作温度：-55 to 100 °C

标准包装：Rail / Tube

产品种类：Transistor Output Optocouplers

RoHS：RoHS Compliant

输入类型：DC

隔离电压：5000 Vrms

电流传输比：125 %

最大正向二极管电压：1.6 V

最大输入二极管电流：60 mA

最高工作温度：+ 100 C

最低工作温度：- 55 C

封装/外壳：PDIP-6

封装：Tube

正向电流：60 mA

最大反向二极管电压：5 V

输出设备：NPN Phototransistor

工厂包装数量：3000

供应商封装形式：PDIP

标准包装名称：PDIP

欧盟RoHS指令：Compliant

最高工作温度：100

最大正向电压：1.6

最大功率耗散：250

最大输入电流：60

最大反向电压：5

最小绝缘电压：3750

最大集电极发射极电压：32

最大集电极电流：50

最低工作温度：-55

最大集电极发射极饱和电压：300

最大电流传输比：125

引脚数：6

铅形状：Through Hole

系列：*

RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant

最大下降时间：6.7 us

最大上升时间：7 us

集电极电流（ DC）（最大值）：0.05 A

集电极 - 发射极电压：32 V

集电极 - 发射极饱和电压：0.3 V

功率耗散：0.25 W

安装：Through Hole

工作温度范围：-55C to 100C

包装类型：PDIP

元件数：1

工作温度分类：Industrial

正向电压：1.6 V

反向击穿电压：5 V

弧度硬化：No

集电极电流（DC ）：0.05 A

associated：TCDT1102G4N25GV