STP10NK80ZFP
规格信息:

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220FP-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:800 V

Id-连续漏极电流:9 A

Rds On-漏源导通电阻:900 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:72 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:40 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:SuperMESH

高度:9.3 mm

长度:10.4 mm

系列:STP10NK80ZFP

晶体管类型:1 N-Channel Power MOSFET

类型:MOSFET

宽度:4.6 mm

商标:STMicroelectronics

正向跨导 - 最小值:9.6 S

下降时间:17 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:20 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:65 ns

典型接通延迟时间:30 ns

单位重量:2.040 g

型号功能描述生产厂商厂商LOGOPDF大小PDF页数PDF文件相关型号第一页预览产品购买
STP10NK80ZFPMOSFET N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESHSTMicroelectronicsSTMicroelectronics的LOGO-天天IC网424.69 Kbytes共17页STP10NK80ZFP的PDF文件地址 STP10NK80ZFP的PDF第一页预览图片 产品购买
STP10NK80ZFPMOSFET N-CH 800V 9A TO220FPSTMicroelectronicsSTMicroelectronics的LOGO-天天IC网439.76 Kbytes共17页STP10NK80ZFP的PDF文件地址 STP10NK80ZFP的PDF第一页预览图片 产品购买
STP10NK80ZFP连续漏极电流(Id)(25°C 时):9A(Tc) 漏源电压(Vdss):800V 栅源极阈值电压:4.5V @ 100uA 漏源导通电阻:900mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):40W(Tc) 类型:N沟道ST(意法半导体)ST(意法半导体)的LOGO-天天IC网439.76 Kbytes共17页STP10NK80ZFP的PDF文件地址 STP10NK80ZFP的PDF第一页预览图片 产品购买
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