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N01L83W2AN5I规格信息:
存储器类型:易失
存储器格式:SRAM
技术:SRAM - 异步
存储容量:1Mb (128K x 8)
写周期时间 - 字,页:55ns
访问时间:55ns
存储器接口:并联
电压 - 电源:2.3 V ~ 3.6 V
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:32-LFSOP(0.465",11.80mm 宽)
供应商器件封装:32-sTSOP I
无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs
型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 | 第一页预览 | 产品购买 |
N01L83W2AN5I | 1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 128K Ã 8 bit | ONSEMI[ON Semiconductor] | ![ONSEMI[ON Semiconductor]的LOGO-天天IC网](/PdfSupLogo/112ONSEMI.GIF) | 527.78 Kbytes | 共10页 |  | 无 |
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N01L83W2AN5IT | 1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 128K Ã 8 bit | ONSEMI[ON Semiconductor] | ![ONSEMI[ON Semiconductor]的LOGO-天天IC网](/PdfSupLogo/112ONSEMI.GIF) | 527.78 Kbytes | 共10页 |  | 无 |
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