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N01L83W2AN5I
规格信息:

存储器类型:易失

存储器格式:SRAM

技术:SRAM - 异步

存储容量:1Mb (128K x 8)

写周期时间 - 字,页:55ns

访问时间:55ns

存储器接口:并联

电压 - 电源:2.3 V ~ 3.6 V

工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:32-LFSOP(0.465",11.80mm 宽)

供应商器件封装:32-sTSOP I

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

型号功能描述生产厂商厂商LOGOPDF大小PDF页数下载地址相关型号第一页预览产品购买
N01L83W2AN5I1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 128K × 8 bit ONSEMI[ON Semiconductor]ONSEMI[ON Semiconductor]的LOGO-天天IC网527.78 Kbytes共10页N01L83W2AN5I的PDF下载地址 N01L83W2AN5I的PDF第一页预览图片 产品购买
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