当前位置：
首页
N01L83W2AN5I规格信息：
存储器类型：易失
存储器格式：SRAM
技术：SRAM - 异步
存储容量：1Mb （128K x 8）
写周期时间 - 字，页：55ns
访问时间：55ns
存储器接口：并联
电压 - 电源：2.3 V ~ 3.6 V
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：32-LFSOP（0.465"，11.80mm 宽）
供应商器件封装：32-sTSOP I
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs
| 型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 | 第一页预览 | 产品购买 |
| N01L83W2AN5I | 1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 128K Ã 8 bit | ONSEMI[ON Semiconductor] | ![ONSEMI[ON Semiconductor]的LOGO-天天IC网](/PdfSupLogo/112ONSEMI.GIF) | 527.78 Kbytes | 共10页 |  | 无 |
 |
产品购买
|
| N01L83W2AN5IT | 1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 128K Ã 8 bit | ONSEMI[ON Semiconductor] | | 527.78 Kbytes | 共10页 | | 无 |
|
产品购买
|
购买、咨询产品请填写询价信息：(3分钟左右您将得到回复)