IPB65R190CFDATMA1
规格信息:

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:650 V

Id-连续漏极电流:17.5 A

Rds On-漏源导通电阻:171 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:68 nC

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:151 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:CoolMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:4.4 mm

长度:10 mm

系列:CoolMOS CFDA

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:9.25 mm

商标:Infineon Technologies

下降时间:6.4 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:8.4 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:53.2 ns

典型接通延迟时间:12 ns

零件号别名:IPB65R190CFD IPB65R19CFDXT SP000905378

单位重量:4 g

型号功能描述生产厂商厂商LOGOPDF大小PDF页数PDF文件相关型号第一页预览产品购买
IPB65R190CFDATMA1MOSFET N-Ch 650V 17.5A D2PAK-2 CoolMOS CFD2Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC网3.75 Mbytes共20页IPB65R190CFDATMA1的PDF文件地址 IPB65R190CFDATMA1的PDF第一页预览图片 产品购买
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