制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TO-263-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:650 V
Id-连续漏极电流:17.5 A
Rds On-漏源导通电阻:171 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压:20 V
Qg-栅极电荷:68 nC
最小工作温度:- 40 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:151 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商标名:CoolMOS
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
高度:4.4 mm
长度:10 mm
系列:CoolMOS CFDA
晶体管类型:1 N-Channel
宽度:9.25 mm
商标:Infineon Technologies
下降时间:6.4 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:8.4 ns
工厂包装数量:1000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:53.2 ns
典型接通延迟时间:12 ns
零件号别名:IPB65R190CFD IPB65R19CFDXT SP000905378
单位重量:4 g